NTHS2101PT1

Tootja Toote Number:

NTHS2101PT1

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

NTHS2101PT1-DG

Kirjeldus:

MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET

Üksikasjalik kirjeldus:

P-Channel 8 V 5.4A (Tj) 1.3W (Ta) Surface Mount ChipFET™

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12844776

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

NTHS2101PT1 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

-

Seeria

-

Toote olek

Obsolete

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

P-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

8 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

5.4A (Tj)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

1.8V, 4.5V

Rds sees (max) @ id, vgs

25mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

30 nC @ 4.5 V

VGS (max)

±8V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

2400 pF @ 6.4 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

1.3W (Ta)

Töötemperatuur

-

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

ChipFET™

Pakett / ümbris

8-SMD, Flat Lead

Põhitoote number

NTHS21

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

2156-NTHS2101PT1-ONTR

ONSONSNTHS2101PT1

NTHS2101PT1OS

Standardpakett

3,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

RoHS non-compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

NTB30N06LT4G

MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

AONX36372

MOSFET N-CH ASYMMETRIC

onsemi

NVMFS4C302NWFT1G

MOSFET N-CH 30V 43A/241A 5DFN

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF292L

MOSFET N-CH 100V 70A TO220F