Tootja Toote Number:
NTHD4P02FT1G
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
NTHD4P02FT1G-DG
Kirjeldus:
MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Üksikasjalik kirjeldus:
P-Channel 20 V 2.2A (Tj) 1.1W (Tj) Surface Mount ChipFET™
Inventuur:
2892 tk Uus Originaal Laos
12847770
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
NTHD4P02FT1G Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Cut Tape (CT)
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
P-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
20 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
2.2A (Tj)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
2.5V, 4.5V
Rds sees (max) @ id, vgs
155mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
VGS (max)
±12V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
300 pF @ 10 V
Funktsioon FET
Schottky Diode (Isolated)
Võimsuse hajutamine (max)
1.1W (Tj)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
ChipFET™
Pakett / ümbris
8-SMD, Flat Lead
Põhitoote number
NTHD4
Lisainfo
Muud nimed
NTHD4P02FT1GOSCT
2156-NTHD4P02FT1G-OS
NTHD4P02FT1GOSDKR
=NTHD4P02FT1GOSCT-DG
ONSONSNTHD4P02FT1G
NTHD4P02FT1GOSTR
NTHD4P02FT1G-DG
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
AON4703
TOOTJA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
AON4703-DG
ÜHIKPRICE
0.16
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FDMS5360L-F085
MOSFET N-CH 60V 60A POWER56
FDI3632
MOSFET N-CH 100V 12A/80A I2PAK
FDP090N10
MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3