NTE4153NT1G

Tootja Toote Number:

NTE4153NT1G

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

NTE4153NT1G-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 20 V 915mA (Ta) 300mW (Tj) Surface Mount SC-89-3

Inventuur:

144619 tk Uus Originaal Laos

12856815

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

NTE4153NT1G Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

Tape & Reel (TR)

Seeria

-

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

20 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

915mA (Ta)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

1.5V, 4.5V

Rds sees (max) @ id, vgs

230mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

1.82 nC @ 4.5 V

VGS (max)

±6V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

110 pF @ 16 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

300mW (Tj)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

SC-89-3

Pakett / ümbris

SC-89, SOT-490

Põhitoote number

NTE4153

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

NTE4153NT1GOSDKR

NTE4153NT1GOSTR

NTE4153NT1GOSCT

Standardpakett

3,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

NTLGF3402PT2G

MOSFET P-CH 20V 2.3A 6DFN

onsemi

NTMFS5834NLT1G

MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN

onsemi

SSU1N50BTU

MOSFET N-CH 520V 1.3A IPAK

onsemi

NTD20N06L-001

MOSFET N-CH 60V 20A IPAK