NTD80N02-001

Tootja Toote Number:

NTD80N02-001

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

NTD80N02-001-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 24V 80A IPAK

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 24 V 80A (Tc) 75W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12939624

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

NTD80N02-001 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

-

Seeria

-

Toote olek

Obsolete

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

24 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

80A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

4.5V, 10V

Rds sees (max) @ id, vgs

5.8mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

42 nC @ 4.5 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

2600 pF @ 20 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

75W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

I-PAK

Pakett / ümbris

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Põhitoote number

NTD80

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

NTD80N02-001-DG

Lisainfo

Muud nimed

=NTD80N02=001

ONSONSNTD80N02-001

2156-NTD80N02-001-ON

NTD80N02-001OS

Standardpakett

75

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

RoHS non-compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

toshiba-semiconductor-and-storage

TJ60S04M3L,LXHQ

MOSFET P-CH 40V 60A DPAK

IRF7805ZTRPBF-1

MOSFET N-CH 30V 16A 8SO

microchip-technology

APT34F60S/TR

MOSFET N-CH 600V 36A D3PAK

toshiba-semiconductor-and-storage

TJ80S04M3L,LXHQ

MOSFET P-CH 40V 80A DPAK