Tootja Toote Number:
NTD60N02R-35G
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
NTD60N02R-35G-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A IPAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 25 V 8.5A (Ta), 32A (Tc) 1.25W (Ta), 58W (Tc) Through Hole I-Pak
Inventuur:
12858358
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
NTD60N02R-35G Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
25 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
8.5A (Ta), 32A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
10.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1330 pF @ 20 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
1.25W (Ta), 58W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
I-PAK
Pakett / ümbris
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Põhitoote number
NTD60
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
ONSONSNTD60N02R-35G
2156-NTD60N02R-35G-ON
Standardpakett
75
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
SCH1331-S-TL-H
MOSFET P-CH 12V 3A SCH6
NVMFS5C604NLT3G
MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN
NVMFS6B75NLWFT1G
MOSFET N-CH 100V 7A/28A 5DFN
