NTD5862N-1G

Tootja Toote Number:

NTD5862N-1G

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

NTD5862N-1G-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 60V 98A DPAK

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 60 V 98A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount DPAK

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12842544

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

NTD5862N-1G Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

-

Seeria

-

Toote olek

Obsolete

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

60 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

98A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

5.7mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

82 nC @ 10 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

6000 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

115W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

DPAK

Pakett / ümbris

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Põhitoote number

NTD58

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

ONSONSNTD5862N-1G

2156-NTD5862N-1G-ON

Standardpakett

75

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

infineon-technologies

BSS214NH6327XTSA1

MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3

onsemi

NVMFS5C442NLWFAFT1G

MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN

onsemi

NVMFS5H663NLWFT1G

MOSFET N-CH 60V 16.2A/67A 5DFN

onsemi

NDB7051

MOSFET N-CH 50V 70A D2PAK