Tootja Toote Number:
NTD4856N-1G
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
NTD4856N-1G-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 25 V 13.3A (Ta), 89A (Tc) 1.33W (Ta), 60W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventuur:
12847490
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
NTD4856N-1G Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
25 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
13.3A (Ta), 89A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
4.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
27 nC @ 4.5 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
2241 pF @ 12 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
1.33W (Ta), 60W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
I-PAK
Pakett / ümbris
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Põhitoote number
NTD48
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
2156-NTD4856N-1G-ON
ONSONSNTD4856N-1G
Standardpakett
75
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
PHT6NQ10T,135
TOOTJA
Nexperia USA Inc.
KOGUS SAADAVAL
4949
DiGi OSANUMBER
PHT6NQ10T,135-DG
ÜHIKPRICE
0.28
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FCP7N60
MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3
HUF75307D3
MOSFET N-CH 55V 15A IPAK
FDU6512A
MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A IPAK
