NTD4813NH-1G

Tootja Toote Number:

NTD4813NH-1G

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

NTD4813NH-1G-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 30 V 7.6A (Ta), 40A (Tc) 1.27W (Ta), 35.3W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12858690

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

NTD4813NH-1G Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

-

Seeria

-

Toote olek

Obsolete

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

30 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

7.6A (Ta), 40A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

4.5V, 11.5V

Rds sees (max) @ id, vgs

13mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

10 nC @ 4.5 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

940 pF @ 12 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

1.27W (Ta), 35.3W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

I-PAK

Pakett / ümbris

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Põhitoote number

NTD48

Tehnilised andmed ja dokumendid

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

NTD4813NH-1G-DG

Lisainfo

Standardpakett

75

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

NTMFS4983NFT1G

MOSFET N-CH 30V 22A/106A 5DFN

SBVS138LT1G

MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT-23

onsemi

NVD3055L170T4G-VF01

MOSFET N-CH 60V 9A DPAK

onsemi

NTD18N06T4G

MOSFET N-CH 60V 18A DPAK