NTD4809NH-35G

Tootja Toote Number:

NTD4809NH-35G

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

NTD4809NH-35G-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 30 V 9.6A (Ta), 58A (Tc) 1.3W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I-Pak

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12858933

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

NTD4809NH-35G Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

-

Seeria

-

Toote olek

Obsolete

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

30 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

9.6A (Ta), 58A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

4.5V, 11.5V

Rds sees (max) @ id, vgs

9mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

15 nC @ 4.5 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

2155 pF @ 12 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

1.3W (Ta), 52W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

I-PAK

Pakett / ümbris

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Põhitoote number

NTD48

Tehnilised andmed ja dokumendid

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

NTD4809NH-35G-DG

Lisainfo

Muud nimed

=NTD4809NH

2156-NTD4809NH-35G-ON

ONSONSNTD4809NH-35G

Standardpakett

75

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

NVD5807NT4G

MOSFET N-CH 40V 23A DPAK

renesas-electronics-america

NP160N04TUJ-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

onsemi

SFW9530TM

MOSFET P-CH 100V 10.5A D2PAK

onsemi

NTMS4840NR2G

MOSFET N-CH 30V 4.5A 8SOIC