Tootja Toote Number:
NTD4809N-1G
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
NTD4809N-1G-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 30 V 9.6A (Ta), 58A (Tc) 1.4W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventuur:
12858581
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
NTD4809N-1G Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
30 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
9.6A (Ta), 58A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 11.5V
Rds sees (max) @ id, vgs
9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1456 pF @ 12 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
1.4W (Ta), 52W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
I-PAK
Pakett / ümbris
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Põhitoote number
NTD48
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
HTML andmeleht
Lisainfo
Muud nimed
ONSONSNTD4809N-1G
2156-NTD4809N-1G-ON
Standardpakett
75
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
NVMTS0D4N04CLTXG
MOSFET N-CH 40V 553.8A 8DFNW
2SK3484-AZ
MOSFET N-CH 100V 16A TO251
2SK3431-AZ
MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB
