NTD3813N-1G

Tootja Toote Number:

NTD3813N-1G

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

NTD3813N-1G-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 16V 9.6A/51A IPAK

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 16 V 9.6A (Ta), 51A (Tc) 1.2W (Ta), 34.9W (Tc) Through Hole IPAK

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12858978

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

NTD3813N-1G Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

-

Seeria

-

Toote olek

Obsolete

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

16 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

9.6A (Ta), 51A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

4.5V, 10V

Rds sees (max) @ id, vgs

8.75mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

12.8 nC @ 4.5 V

VGS (max)

±16V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

963 pF @ 12 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

1.2W (Ta), 34.9W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

IPAK

Pakett / ümbris

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Põhitoote number

NTD38

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

2156-NTD3813N-1G-ON

ONSONSNTD3813N-1G

Standardpakett

75

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

NTD18N06L-001

MOSFET N-CH 60V 18A IPAK

vishay-siliconix

IRF840

MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB

infineon-technologies

IPP076N15N5AKSA1

MOSFET N-CH 150V 112A TO220-3

onsemi

NTD6600N

MOSFET N-CH 100V 12A DPAK