Tootja Toote Number:
NTD23N03R-1G
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
NTD23N03R-1G-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A IPAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 25 V 3.8A (Ta), 17.1A (Tc) 1.14W (Ta), 22.3W (Tc) Through Hole IPAK
Inventuur:
12858907
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
NTD23N03R-1G Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
25 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
3.8A (Ta), 17.1A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4V, 5V
Rds sees (max) @ id, vgs
45mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
3.76 nC @ 4.5 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
225 pF @ 20 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
1.14W (Ta), 22.3W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
IPAK
Pakett / ümbris
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Põhitoote number
NTD23
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
NTD23N03R-1GOS
ONSONSNTD23N03R-1G
2156-NTD23N03R-1G-ON
Standardpakett
75
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
STD18NF03L
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
4803
DiGi OSANUMBER
STD18NF03L-DG
ÜHIKPRICE
0.30
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IRLR2703TRPBF
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
24414
DiGi OSANUMBER
IRLR2703TRPBF-DG
ÜHIKPRICE
0.36
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
NTTFS4945NTWG
MOSFET N-CH 30V 7.1A/34A 8WDFN
IRFBC40AS
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
IRF830AS
MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
