Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
NTBG020N120SC1
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
NTBG020N120SC1-DG
Kirjeldus:
SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 1200 V 8.6A (Ta), 98A (Tc) 3.7W (Ta), 468W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventuur:
756 tk Uus Originaal Laos
13275961
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
NTBG020N120SC1 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
SiCFET (Silicon Carbide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
1200 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
8.6A (Ta), 98A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
20V
Rds sees (max) @ id, vgs
28mOhm @ 60A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 20mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
220 nC @ 20 V
VGS (max)
+25V, -15V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
2943 pF @ 800 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
3.7W (Ta), 468W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
D2PAK-7
Pakett / ümbris
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Põhitoote number
NTBG020
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
NTBG020N120SC1
Lisainfo
Muud nimed
488-NTBG020N120SC1CT
488-NTBG020N120SC1DKR
488-NTBG020N120SC1TR
Standardpakett
800
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
G3R30MT12J
TOOTJA
GeneSiC Semiconductor
KOGUS SAADAVAL
68
DiGi OSANUMBER
G3R30MT12J-DG
ÜHIKPRICE
20.78
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
NVBG020N120SC1
TOOTJA
onsemi
KOGUS SAADAVAL
1578
DiGi OSANUMBER
NVBG020N120SC1-DG
ÜHIKPRICE
61.25
ASENDAMISE TüÜP
Parametric Equivalent
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
NVMFS5C628NWFT1G
MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
NTBLS0D7N06C
MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF
NTHL060N090SC1
SICFET N-CH 900V 46A TO247-3
NVTFWS014P04M8LTAG
MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN