NTB90N02T4

Tootja Toote Number:

NTB90N02T4

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

NTB90N02T4-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 24 V 90A (Ta) 85W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12918413

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

NTB90N02T4 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

-

Seeria

-

Toote olek

Obsolete

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

24 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

90A (Ta)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

4.5V, 10V

Rds sees (max) @ id, vgs

5.8mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

29 nC @ 4.5 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

2120 pF @ 20 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

85W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

D2PAK

Pakett / ümbris

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Põhitoote number

NTB90

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

NTB90N02T4OSCT

2156-NTB90N02T4-ONTR

ONSONSNTB90N02T4

NTB90N02T4OSTR

Standardpakett

800

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

RoHS non-compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

vishay-siliconix

SI7322ADN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 15.1A PPAK

vishay-siliconix

SI5441BDC-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8

vishay-siliconix

SI3457BDV-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP

vishay-siliconix

SQD100N03-3M4_GE3

MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA