Tootja Toote Number:
NTB65N02RT4G
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
NTB65N02RT4G-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 25 V 7.6A (Tc) 1.04W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventuur:
12857706
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
NTB65N02RT4G Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
25 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
7.6A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
8.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
9.5 nC @ 4.5 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1330 pF @ 20 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
1.04W (Ta), 62.5W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
D2PAK
Pakett / ümbris
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Põhitoote number
NTB65
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
NTB65N02RT4GOS
2156-NTB65N02RT4G
2156-NTB65N02RT4G-ONTR-DG
ONSONSNTB65N02RT4G
Standardpakett
800
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
PSMN4R3-30BL,118
TOOTJA
Nexperia USA Inc.
KOGUS SAADAVAL
9945
DiGi OSANUMBER
PSMN4R3-30BL,118-DG
ÜHIKPRICE
0.58
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
PSMN017-30BL,118
TOOTJA
Nexperia USA Inc.
KOGUS SAADAVAL
1868
DiGi OSANUMBER
PSMN017-30BL,118-DG
ÜHIKPRICE
0.37
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
NVATS5A112PLZT4G
MOSFET P-CH 60V 27A ATPAK
NP82N04PDG-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 82A TO263
NTD2955PT4G
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
