NTB13N10T4G

Tootja Toote Number:

NTB13N10T4G

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

NTB13N10T4G-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 100 V 13A (Ta) 64.7W (Ta) Surface Mount D2PAK

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12847860

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

NTB13N10T4G Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

-

Seeria

-

Toote olek

Obsolete

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

100 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

13A (Ta)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

165mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

20 nC @ 10 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

550 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

64.7W (Ta)

Töötemperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

D2PAK

Pakett / ümbris

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Põhitoote number

NTB13

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Lisainfo

Muud nimed

NTB13N10T4GOS

Standardpakett

800

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

FDMS7660AS

MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN

onsemi

FDMS003N08C

MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56

alpha-and-omega-semiconductor

AOL1206

MOSFET N-CH 30V 16A/54A ULTRASO8

onsemi

NTD5867NL-1G

MOSFET N-CH 60V 20A IPAK