Tootja Toote Number:
NTB082N65S3F
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
NTB082N65S3F-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 650 V 40A (Tc) 313W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventuur:
12856836
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
NTB082N65S3F Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
SuperFET® III
Toote olek
Not For New Designs
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
650 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
40A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
82mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
3410 pF @ 400 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
313W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-263 (D2PAK)
Pakett / ümbris
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Põhitoote number
NTB082
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
NTB082N65S3F-DG
2156-NTB082N65S3F-488
NTB082N65S3FOSTR
NTB082N65S3FOSDKR
NTB082N65S3FOSCT
Standardpakett
800
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
STB45N65M5
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
301
DiGi OSANUMBER
STB45N65M5-DG
ÜHIKPRICE
4.20
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
NVB082N65S3F
TOOTJA
onsemi
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
NVB082N65S3F-DG
ÜHIKPRICE
4.61
ASENDAMISE TüÜP
Parametric Equivalent
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
NTMFS4833NAT1G
MOSFET N-CH 30V 16A/191A 5DFN
NTMFS4C05NT3G
MOSFET N-CH 30V 11.9A 5DFN
NTMFS4925NT3G
MOSFET N-CH 30V 9.7A/48A 5DFN
