Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
NSS12600CF8T1G
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
NSS12600CF8T1G-DG
Kirjeldus:
TRANS PNP 12V 5A CHIPFET
Üksikasjalik kirjeldus:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 12 V 5 A 100MHz 830 mW Surface Mount ChipFET™
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12844199
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
NSS12600CF8T1G Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Bipolaarne (BJT), Üksik bipolar transistorid
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Transistori tüüp
PNP
Praegune - kollektor (Ic) (max)
5 A
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
12 V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
170mV @ 400mA, 4A
Praegune - kollektori väljalõige (max)
100nA (ICBO)
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
250 @ 1A, 2V
Võimsus - Max
830 mW
Sagedus - üleminek
100MHz
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
8-SMD, Flat Lead
Tarnija seadme pakett
ChipFET™
Põhitoote number
NSS126
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
NSS12600CF8T1G
Tehnilised lehed
NSS12600CF8T1G
HTML andmeleht
NSS12600CF8T1G-DG
Lisainfo
Muud nimed
2156-NSS12600CF8T1G-ONTR-DG
ONSONSNSS12600CF8T1G
2156-NSS12600CF8T1G
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
TN2219A
TRANS NPN 40V 1A TO226-3
MMBT2222AHLT1G
TRANS NPN 40V 0.6A SOT23
MMBT2222ATT1G
TRANS NPN 40V 0.6A SC75 SOT416
MPSA29RLRP
TRANS NPN DARL SS 100V TO92