Tootja Toote Number:
NSBC115TDP6T5G
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
NSBC115TDP6T5G-DG
Kirjeldus:
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Üksikasjalik kirjeldus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 339mW Surface Mount SOT-963
Inventuur:
12856106
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
NSBC115TDP6T5G Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Bipolaarne (BJT), Bipolaarsed transistoride süsteemid, eelnevalt biasitud
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Last Time Buy
Transistori tüüp
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Praegune - kollektor (Ic) (max)
100mA
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
50V
Takisti - alus (R1)
100kOhms
Takisti - emitteri alus (R2)
-
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
160 @ 5mA, 10V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
250mV @ 5mA, 10mA
Praegune - kollektori väljalõige (max)
500nA
Sagedus - üleminek
-
Võimsus - Max
339mW
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
SOT-963
Tarnija seadme pakett
SOT-963
Põhitoote number
NSBC115
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
2832-NSBC115TDP6T5GTR
2156-NSBC115TDP6T5G-OS
ONSONSNSBC115TDP6T5G
2832-NSBC115TDP6T5G-488
Standardpakett
8,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
NSBA124EDXV6T1G
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
NSBA114TDXV6T5G
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
NSBA113EDXV6T1G
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563