NSBA114EDXV6T1G
Tootja Toote Number:

NSBA114EDXV6T1G

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

NSBA114EDXV6T1G-DG

Kirjeldus:

TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Üksikasjalik kirjeldus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563

Inventuur:

4000 tk Uus Originaal Laos
12840670
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

NSBA114EDXV6T1G Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
Bipolaarne (BJT), Bipolaarsed transistoride süsteemid, eelnevalt biasitud
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Transistori tüüp
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Praegune - kollektor (Ic) (max)
100mA
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
50V
Takisti - alus (R1)
10kOhms
Takisti - emitteri alus (R2)
10kOhms
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
35 @ 5mA, 10V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Praegune - kollektori väljalõige (max)
500nA
Sagedus - üleminek
-
Võimsus - Max
500mW
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
SOT-563, SOT-666
Tarnija seadme pakett
SOT-563
Põhitoote number
NSBA114

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed
MUN5111DW1, NSBA114EDxx
Tehnilised lehed
NSBA114EDXV6T1G
HTML andmeleht
NSBA114EDXV6T1G-DG

Lisainfo

Muud nimed
NSBA114EDXV6T1G-DG
2156-NSBA114EDXV6T1G-OS
=NSBA114EDXV6T1GOSCT-DG
NSBA114EDXV6T1GOSCT
ONSONSNSBA114EDXV6T1G
NSBA114EDXV6T1GOSTR
Standardpakett
4,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI sertifikaat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Seotud tooted
onsemi

NSBC144EPDXV6T1G

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563

onsemi

NSBC114EPDXV6T1G

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563

onsemi

NSB13211DW6T1G

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88

onsemi

NSVBC114YPDXV65G

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563