NDS352AP

Tootja Toote Number:

NDS352AP

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

NDS352AP-DG

Kirjeldus:

MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3

Üksikasjalik kirjeldus:

P-Channel 30 V 900mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventuur:

6204 tk Uus Originaal Laos

12857896

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

NDS352AP Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

Tape & Reel (TR)

Seeria

-

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

P-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

30 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

900mA (Ta)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

4.5V, 10V

Rds sees (max) @ id, vgs

300mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

3 nC @ 4.5 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

135 pF @ 15 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

500mW (Ta)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

SOT-23-3

Pakett / ümbris

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Põhitoote number

NDS352

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

NDS352AP-DG

NDS352APTR-NDR

NDS352APCT-NDR

NDS352APDKR

NDS352APTR

NDS352APCT

Standardpakett

3,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

renesas-electronics-america

RJK2006DPE-00#J3

MOSFET N-CH 200V 40A 4LDPAK

onsemi

NVJS4151PT1G

MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88

onsemi

NTD20N06T4

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

onsemi

NTD5867NLT4G

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK