Tootja Toote Number:
NDD60N900U1T4G
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
NDD60N900U1T4G-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 600V 5.7A DPAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 600 V 5.7A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventuur:
12856857
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
NDD60N900U1T4G Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
600 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
5.7A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
900mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
VGS (max)
±25V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
360 pF @ 50 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
74W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
DPAK
Pakett / ümbris
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Põhitoote number
NDD60
Lisainfo
Muud nimed
ONSONSNDD60N900U1T4G
2156-NDD60N900U1T4G-ONTR
Standardpakett
2,500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
SPD06N80C3ATMA1
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
SPD06N80C3ATMA1-DG
ÜHIKPRICE
0.78
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
TK5P60W,RVQ
TOOTJA
Toshiba Semiconductor and Storage
KOGUS SAADAVAL
9180
DiGi OSANUMBER
TK5P60W,RVQ-DG
ÜHIKPRICE
0.68
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
FCD900N60Z
TOOTJA
Fairchild Semiconductor
KOGUS SAADAVAL
1213
DiGi OSANUMBER
FCD900N60Z-DG
ÜHIKPRICE
0.73
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
VN2222LLRLRAG
MOSFET N-CH 60V 150MA TO92-3
NTTFS4941NTWG
MOSFET N-CH 30V 8.3A/46A 8WDFN
RJK0658DPA-00#J5A
MOSFET N-CH 60V 25A 8WPAK
