MUN5311DW1T2G
Tootja Toote Number:

MUN5311DW1T2G

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

MUN5311DW1T2G-DG

Kirjeldus:

TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
Üksikasjalik kirjeldus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Inventuur:

11462 tk Uus Originaal Laos
12852294
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

MUN5311DW1T2G Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
Bipolaarne (BJT), Bipolaarsed transistoride süsteemid, eelnevalt biasitud
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Transistori tüüp
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Praegune - kollektor (Ic) (max)
100mA
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
50V
Takisti - alus (R1)
10kOhms
Takisti - emitteri alus (R2)
10kOhms
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
35 @ 5mA, 10V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Praegune - kollektori väljalõige (max)
500nA
Sagedus - üleminek
-
Võimsus - Max
250mW
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tarnija seadme pakett
SC-88/SC70-6/SOT-363
Põhitoote number
MUN5311

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed
MUN5311DW1, NSBC114EPXxx
Tehnilised lehed
MUN5311DW1T2G
HTML andmeleht
MUN5311DW1T2G-DG

Lisainfo

Muud nimed
MUN5311DW1T2G-DG
MUN5311DW1T2GOSCT
MUN5311DW1T2GOSDKR
MUN5311DW1T2GOSTR
2156-MUN5311DW1T2G-OS
ONSONSMUN5311DW1T2G
Standardpakett
3,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI sertifikaat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Seotud tooted
onsemi

MUN5313DW1T1

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

onsemi

MUN5137DW1T1

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

onsemi

MBT3906DW1T2G

TRANS 2PNP 40V 0.2A SC88

onsemi

MUN5316DW1T1G

TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88