Tootja Toote Number:
MJD44H11-1G
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
MJD44H11-1G-DG
Kirjeldus:
TRANS NPN 80V 8A IPAK
Üksikasjalik kirjeldus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 8 A 85MHz 1.75 W Through Hole I-PAK
Inventuur:
12849282
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
MJD44H11-1G Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Bipolaarne (BJT), Üksik bipolar transistorid
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tube
Seeria
-
Toote olek
Active
Transistori tüüp
NPN
Praegune - kollektor (Ic) (max)
8 A
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
80 V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
1V @ 400mA, 8A
Praegune - kollektori väljalõige (max)
1µA
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
40 @ 4A, 1V
Võimsus - Max
1.75 W
Sagedus - üleminek
85MHz
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Pakett / ümbris
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Tarnija seadme pakett
I-PAK
Põhitoote number
MJD44
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
MJD44H111G
2156-MJD44H11-1G-OS
ONSONSMJD44H11-1G
MJD44H11-1GOS
Standardpakett
75
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
