Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
MJD200G
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
MJD200G-DG
Kirjeldus:
TRANS NPN 25V 5A DPAK
Üksikasjalik kirjeldus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 5 A 65MHz 1.4 W Surface Mount DPAK
Inventuur:
2009 tk Uus Originaal Laos
12848139
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
MJD200G Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Bipolaarne (BJT), Üksik bipolar transistorid
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tube
Seeria
-
Toote olek
Active
Transistori tüüp
NPN
Praegune - kollektor (Ic) (max)
5 A
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
25 V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
1.8V @ 1A, 5A
Praegune - kollektori väljalõige (max)
100nA (ICBO)
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
45 @ 2A, 1V
Võimsus - Max
1.4 W
Sagedus - üleminek
65MHz
Töötemperatuur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Tarnija seadme pakett
DPAK
Põhitoote number
MJD200
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
MJD200, MJD210
Tehnilised lehed
MJD200G
HTML andmeleht
MJD200G-DG
Lisainfo
Muud nimed
MJD200GOS
MJD200G-DG
ONSONSMJD200G
2156-MJD200G-OS
Standardpakett
75
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
NSCT817-40LT3G
TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
MPS4250ARLRM
TRANS PNP 40V 0.05A TO92
BDW94C
TRANS PNP DARL 100V 12A TO220-3
BD138G
TRANS PNP 60V 1.5A TO126