MJD122T4G
Tootja Toote Number:

MJD122T4G

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

MJD122T4G-DG

Kirjeldus:

TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Üksikasjalik kirjeldus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 4MHz 1.75 W Surface Mount DPAK

Inventuur:

Küsi hinda veebis
12853820
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

MJD122T4G Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
Bipolaarne (BJT), Üksik bipolar transistorid
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Transistori tüüp
NPN - Darlington
Praegune - kollektor (Ic) (max)
8 A
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
100 V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
4V @ 80mA, 8A
Praegune - kollektori väljalõige (max)
10µA
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
1000 @ 4A, 4V
Võimsus - Max
1.75 W
Sagedus - üleminek
4MHz
Töötemperatuur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Tarnija seadme pakett
DPAK
Põhitoote number
MJD122

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed
MJD122_127, NJVMJD122_127
Tehnilised lehed
MJD122T4G
HTML andmeleht
MJD122T4G-DG

Lisainfo

Muud nimed
MJD122T4GOSTR
2156-MJD122T4G-OS
ONSONSMJD122T4G
MJD122T4GOSDKR
MJD122T4GOS
MJD122T4GOSCT
MJD122T4GOS-DG
Standardpakett
2,500

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Seotud tooted
onsemi

MMBTA13LT1G

TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3

onsemi

MPS5172

TRANS NPN 25V 0.1A TO92

onsemi

MMBT6515

TRANS NPN 25V 0.2A SOT23-3

onsemi

MMBT3906K

TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3