MJD112RL
Tootja Toote Number:

MJD112RL

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

MJD112RL-DG

Kirjeldus:

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Üksikasjalik kirjeldus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Surface Mount DPAK

Inventuur:

Küsi hinda veebis
12853619
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

MJD112RL Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
Bipolaarne (BJT), Üksik bipolar transistorid
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Transistori tüüp
NPN - Darlington
Praegune - kollektor (Ic) (max)
2 A
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
100 V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
3V @ 40mA, 4A
Praegune - kollektori väljalõige (max)
20µA
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
1000 @ 2A, 3V
Võimsus - Max
1.75 W
Sagedus - üleminek
25MHz
Töötemperatuur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Tarnija seadme pakett
DPAK
Põhitoote number
MJD11

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed
MJD112,117
Tehnilised lehed
MJD112RL
HTML andmeleht
MJD112RL-DG

Lisainfo

Standardpakett
1,800

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
RoHS non-compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatiivsed mudelid

Osa number
MJD112RLG
TOOTJA
onsemi
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
MJD112RLG-DG
ÜHIKPRICE
0.35
ASENDAMISE TüÜP
Direct
Osa number
MJD112T4
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
9138
DiGi OSANUMBER
MJD112T4-DG
ÜHIKPRICE
0.26
ASENDAMISE TüÜP
Direct
DIGI sertifikaat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Seotud tooted
onsemi

MPSW01ARLRA

TRANS NPN 40V 1A TO92

onsemi

MMBT6427LT1G

TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23-3

onsemi

KSD1589OTU

TRANS NPN DARL 100V 5A TO220F-3

onsemi

MJE350G

TRANS PNP 300V 0.5A TO126