Tootja Toote Number:
IRLW630ATM
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
IRLW630ATM-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventuur:
12835849
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IRLW630ATM Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
200 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
5V
Rds sees (max) @ id, vgs
400mOhm @ 4.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
27 nC @ 5 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
755 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
3.1W (Ta), 69W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-262 (I2PAK)
Pakett / ümbris
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Põhitoote number
IRLW63
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
HTML andmeleht
Lisainfo
Standardpakett
800
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IRF624SPBF
TOOTJA
Vishay Siliconix
KOGUS SAADAVAL
1814
DiGi OSANUMBER
IRF624SPBF-DG
ÜHIKPRICE
0.81
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
RCJ120N20TL
TOOTJA
Rohm Semiconductor
KOGUS SAADAVAL
33
DiGi OSANUMBER
RCJ120N20TL-DG
ÜHIKPRICE
0.44
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IRFU220PBF
TOOTJA
Vishay Siliconix
KOGUS SAADAVAL
2912
DiGi OSANUMBER
IRFU220PBF-DG
ÜHIKPRICE
0.52
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
FQPF6N80
MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F
FDD4685-F085P
MOSFET P-CH 40V 32A TO252
