Tootja Toote Number:
IRF530A
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
IRF530A-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 100V 14A TO220-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 100 V 14A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventuur:
525 tk Uus Originaal Laos
12838826
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IRF530A Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tube
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
100 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
14A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
110mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
790 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
55W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220-3
Pakett / ümbris
TO-220-3
Põhitoote number
IRF530
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Standardpakett
50
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
STP24NF10
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
720
DiGi OSANUMBER
STP24NF10-DG
ÜHIKPRICE
0.64
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IRF530PBF
TOOTJA
Vishay Siliconix
KOGUS SAADAVAL
9188
DiGi OSANUMBER
IRF530PBF-DG
ÜHIKPRICE
0.48
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IRF530NPBF
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
53211
DiGi OSANUMBER
IRF530NPBF-DG
ÜHIKPRICE
0.32
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FDB5645
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
FDMS86500L
MOSFET N-CH 60V 25A/80A 8PQFN
FDC637AN
MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
