HUF75652G3

Tootja Toote Number:

HUF75652G3

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

HUF75652G3-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 100V 75A TO247-3

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 100 V 75A (Tc) 515W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventuur:

450 tk Uus Originaal Laos

12850453

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

HUF75652G3 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

Tube

Seeria

UltraFET™

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

100 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

75A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

8mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

475 nC @ 20 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

7585 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

515W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

TO-247-3

Pakett / ümbris

TO-247-3

Põhitoote number

HUF75652

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Standardpakett

30

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

Not Applicable

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

infineon-technologies

BSP125 E6327

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4

onsemi

FQPF10N50CF

MOSFET N-CH 500V 10A TO220F

onsemi

FDS4465_SN00187

MOSFET P-CHANNEL 20V 13.5A 8SO

alpha-and-omega-semiconductor

AON6554

MOSFET N CH 30V 36A 8DFN