HUF75652G3
Tootja Toote Number:

HUF75652G3

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

HUF75652G3-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 100V 75A TO247-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 515W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventuur:

450 tk Uus Originaal Laos
12850453
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

HUF75652G3 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tube
Seeria
UltraFET™
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
100 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
75A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
8mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
475 nC @ 20 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
7585 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
515W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-247-3
Pakett / ümbris
TO-247-3
Põhitoote number
HUF75652

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed
Tehnilised lehed
HTML andmeleht

Lisainfo

Standardpakett
30

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
infineon-technologies

BSP125 E6327

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4

onsemi

FQPF10N50CF

MOSFET N-CH 500V 10A TO220F

onsemi

FDS4465_SN00187

MOSFET P-CHANNEL 20V 13.5A 8SO

alpha-and-omega-semiconductor

AON6554

MOSFET N CH 30V 36A 8DFN