HUF75639P3
Tootja Toote Number:

HUF75639P3

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

HUF75639P3-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 100 V 56A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventuur:

453 tk Uus Originaal Laos
12836094
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

HUF75639P3 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tube
Seeria
UltraFET™
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
100 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
56A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
25mOhm @ 56A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
130 nC @ 20 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
2000 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
200W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220-3
Pakett / ümbris
TO-220-3
Põhitoote number
HUF75639

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed
HUF75639G3, P3, S3, S3S
Tehnilised lehed
HUF75639P3
HTML andmeleht
HUF75639P3-DG

Lisainfo

Muud nimed
2156-HUF75639P3-OS
ONSHUF75639P3
Standardpakett
50

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Seotud tooted
onsemi

FQB4P25TM

MOSFET P-CH 250V 4A D2PAK

infineon-technologies

AUIRFS3006-7P

MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK

onsemi

FQD7P06TM

MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK

onsemi

FDN340P

MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3