Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
FQU5N60CTU
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQU5N60CTU-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 600V 2.8A IPAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 600 V 2.8A (Tc) 2.5W (Ta), 49W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12840308
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQU5N60CTU Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
600 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
2.8A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
670 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
2.5W (Ta), 49W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
I-PAK
Pakett / ümbris
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Põhitoote number
FQU5N60
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
FQD5N60C, FQU5N60C
Tehnilised lehed
FQU5N60CTU
HTML andmeleht
FQU5N60CTU-DG
Lisainfo
Muud nimed
ONSONSFQU5N60CTU
2156-FQU5N60CTU-OS
Standardpakett
70
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
AOU4N60
TOOTJA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
KOGUS SAADAVAL
3973
DiGi OSANUMBER
AOU4N60-DG
ÜHIKPRICE
0.34
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
STU3N62K3
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
55
DiGi OSANUMBER
STU3N62K3-DG
ÜHIKPRICE
0.49
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
STU4N62K3
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
1
DiGi OSANUMBER
STU4N62K3-DG
ÜHIKPRICE
0.55
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FDMS86103L
MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN
FDD850N10LD
MOSFET N-CH 100V 15.3A TO252-4L
NDUL03N150CG
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P
2SK3045
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220D-A1