Tootja Toote Number:
FQU1N60CTU
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQU1N60CTU-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Through Hole IPAK
Inventuur:
12850201
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQU1N60CTU Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
600 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
1A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
11.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
6.2 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
170 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
IPAK
Pakett / ümbris
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Põhitoote number
FQU1N60
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
2156-FQU1N60CTU-OS
FAIFSCFQU1N60CTU
FQU1N60CTU-DG
FQU1N60CTUFS
Standardpakett
70
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
STD1NK60-1
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
5751
DiGi OSANUMBER
STD1NK60-1-DG
ÜHIKPRICE
0.38
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
STU2N62K3
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
3000
DiGi OSANUMBER
STU2N62K3-DG
ÜHIKPRICE
0.52
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FDD26AN06A0
MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA
FQPF9N50CYDTU
MOSFET N-CH 500V 9A TO220F-3
AO3406
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3L
