Tootja Toote Number:
FQU13N10LTU
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQU13N10LTU-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Through Hole IPAK
Inventuur:
12846052
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQU13N10LTU Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
100 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
180mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
12 nC @ 5 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
520 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
2.5W (Ta), 40W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
IPAK
Pakett / ümbris
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Põhitoote number
FQU13N10
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Standardpakett
70
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
TSM900N10CH X0G
TOOTJA
Taiwan Semiconductor Corporation
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
TSM900N10CH X0G-DG
ÜHIKPRICE
0.26
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
DMN10H170SK3-13
TOOTJA
Diodes Incorporated
KOGUS SAADAVAL
252806
DiGi OSANUMBER
DMN10H170SK3-13-DG
ÜHIKPRICE
0.19
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
BSS138N-E6327
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
AOTF11C60PL
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F
AONS66612
MOSFET N-CH 60V 46A/100A 8DFN
