Tootja Toote Number:
FQPF9N25CT
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQPF9N25CT-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 250 V 8.8A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventuur:
12848195
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQPF9N25CT Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
250 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
8.8A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
430mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
710 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
38W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220F-3
Pakett / ümbris
TO-220-3 Full Pack
Põhitoote number
FQPF9
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
2832-FQPF9N25CT-488
Standardpakett
1,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FCH190N65F-F155
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
NTD4804NAT4G
MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A DPAK
FDMT800120DC
MOSFET N-CH 120V 20A 8DLCOOL88
