Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
FQPF9N25C
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQPF9N25C-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 250 V 8.8A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12847336
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQPF9N25C Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
250 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
8.8A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
430mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
710 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
38W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220F-3
Pakett / ümbris
TO-220-3 Full Pack
Põhitoote number
FQPF9
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
FQPF9N25C(T)
Tehnilised lehed
FQPF9N25C
HTML andmeleht
FQPF9N25C-DG
Lisainfo
Standardpakett
50
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
RCX100N25
TOOTJA
Rohm Semiconductor
KOGUS SAADAVAL
429
DiGi OSANUMBER
RCX100N25-DG
ÜHIKPRICE
0.86
ASENDAMISE TüÜP
Direct
Osa number
FQPF27N25
TOOTJA
onsemi
KOGUS SAADAVAL
315
DiGi OSANUMBER
FQPF27N25-DG
ÜHIKPRICE
1.38
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
Osa number
STF16NF25
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
886
DiGi OSANUMBER
STF16NF25-DG
ÜHIKPRICE
0.86
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
AOT66616L
MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO220
FQU20N06LTU
MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK
FDP5N50NZ
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3
FQD19N10TM
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK