Tootja Toote Number:
FQPF4N90
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQPF4N90-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220F
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 900 V 2.5A (Tc) 47W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventuur:
12930482
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQPF4N90 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
900 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
2.5A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
3.3Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
47W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220F-3
Pakett / ümbris
TO-220-3 Full Pack
Põhitoote number
FQPF4
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
HTML andmeleht
Lisainfo
Standardpakett
1,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
2SK3798(STA4,Q,M)
TOOTJA
Toshiba Semiconductor and Storage
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
2SK3798(STA4,Q,M)-DG
ÜHIKPRICE
0.51
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
STP6NK90ZFP
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
875
DiGi OSANUMBER
STP6NK90ZFP-DG
ÜHIKPRICE
1.43
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
2SK3566(STA4,Q,M)
TOOTJA
Toshiba Semiconductor and Storage
KOGUS SAADAVAL
386
DiGi OSANUMBER
2SK3566(STA4,Q,M)-DG
ÜHIKPRICE
0.55
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
AOL1432
MOSFET N-CH 25V 12A/44A ULTRASO8
NTZS3151PT1G
MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
NTH4L027N65S3F
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
