FQPF1P50
Tootja Toote Number:

FQPF1P50

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FQPF1P50-DG

Kirjeldus:

MOSFET P-CH 500V 1.03A TO220F
Üksikasjalik kirjeldus:
P-Channel 500 V 1.03A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventuur:

12849624
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

FQPF1P50 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
P-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
500 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
1.03A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
10.5Ohm @ 515mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
350 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
28W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220F-3
Pakett / ümbris
TO-220-3 Full Pack
Põhitoote number
FQPF1

Tehnilised andmed ja dokumendid

Tehnilised lehed
HTML andmeleht

Lisainfo

Standardpakett
1,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
onsemi

FDMS8672AS

MOSFET N-CH 30V 18A/28A 8PQFN

alpha-and-omega-semiconductor

AO4449

MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC

onsemi

FQT13N06LTF

MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF3N100

MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220-3F