FQPF17N08L

Tootja Toote Number:

FQPF17N08L

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FQPF17N08L-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 80V 11.2A TO220F

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 80 V 11.2A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12851101

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

FQPF17N08L Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

-

Seeria

QFET®

Toote olek

Obsolete

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

80 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

11.2A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

5V, 10V

Rds sees (max) @ id, vgs

100mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

11.5 nC @ 5 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

520 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

30W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

TO-220F-3

Pakett / ümbris

TO-220-3 Full Pack

Põhitoote number

FQPF1

Tehnilised andmed ja dokumendid

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Standardpakett

50

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Alternatiivsed mudelid

Osa number

IRFI530NPBF

TOOTJA

Infineon Technologies

KOGUS SAADAVAL

7816

DiGi OSANUMBER

IRFI530NPBF-DG

ÜHIKPRICE

0.52

ASENDAMISE TüÜP

Similar

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

FCMT299N60

MOSFET N-CH 600V 12A POWER88

onsemi

IRFR220BTM_FP001

MOSFET N-CH 200V 4.6A DPAK

rohm-semi

R6524KNJTL

MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

onsemi

FCPF7N60NT

MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220F