Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Kongo DV
Argentina
Türgi
Rumeenia
Leedu
Norra
Austria
Angola
Slovakkia
LTALY
Soome
Valgevene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Montenegro
Vene
Belgia
Rootsi
Serbia
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Moldova
Saksamaa
Holland
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Prantsusmaa
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Portugal
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Hispaania
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
FQP7N65C
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQP7N65C-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12837553
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQP7N65C Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
650 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
7A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1245 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
160W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220-3
Pakett / ümbris
TO-220-3
Põhitoote number
FQP7
Lisainfo
Standardpakett
1,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
STP9NK65Z
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
STP9NK65Z-DG
ÜHIKPRICE
1.54
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
STP5N60M2
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
33
DiGi OSANUMBER
STP5N60M2-DG
ÜHIKPRICE
0.53
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
STP5N80K5
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
717
DiGi OSANUMBER
STP5N80K5-DG
ÜHIKPRICE
0.67
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FQB46N15TM_AM002
MOSFET N-CH 150V 45.6A D2PAK
FDWS9408-F085
MOSFET N-CH 40V 80A POWER56
FQA22P10
MOSFET P-CH 100V 24A TO3PN
FDMS7556S
MOSFET N-CH 25V 35A/49A 8PQFN