Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Kongo DV
Argentina
Türgi
Rumeenia
Leedu
Norra
Austria
Angola
Slovakkia
LTALY
Soome
Valgevene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Montenegro
Vene
Belgia
Rootsi
Serbia
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Moldova
Saksamaa
Holland
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Prantsusmaa
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Portugal
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Hispaania
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
FQP3N80
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQP3N80-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 800V 3A TO220-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 800 V 3A (Tc) 107W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12846456
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQP3N80 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
800 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
3A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
690 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
107W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220-3
Pakett / ümbris
TO-220-3
Põhitoote number
FQP3
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
FQP3N80
HTML andmeleht
FQP3N80-DG
Lisainfo
Standardpakett
50
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
STP5NK80Z
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
240
DiGi OSANUMBER
STP5NK80Z-DG
ÜHIKPRICE
0.85
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
STP3NK90Z
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
361
DiGi OSANUMBER
STP3NK90Z-DG
ÜHIKPRICE
0.77
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
STP4NK80Z
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
STP4NK80Z-DG
ÜHIKPRICE
0.76
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
FQP6N80C
TOOTJA
onsemi
KOGUS SAADAVAL
344
DiGi OSANUMBER
FQP6N80C-DG
ÜHIKPRICE
0.93
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
STP2N80K5
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
1680
DiGi OSANUMBER
STP2N80K5-DG
ÜHIKPRICE
0.46
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
AON6226
MOSFET N-CHANNEL 100V 48A 8DFN
FDFS2P102
MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC
FDS6675
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
FDMC4436BZ
MOSFET P-CH