Tootja Toote Number:
FQP3N40
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQP3N40-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 400V 2.5A TO220-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 400 V 2.5A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventuur:
12838758
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQP3N40 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
400 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
2.5A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
3.4Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
230 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
55W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220-3
Pakett / ümbris
TO-220-3
Põhitoote number
FQP3
Lisainfo
Standardpakett
1,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IRF710PBF
TOOTJA
Vishay Siliconix
KOGUS SAADAVAL
6746
DiGi OSANUMBER
IRF710PBF-DG
ÜHIKPRICE
0.37
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FQL50N40
MOSFET N-CH 400V 50A TO264-3
FQA20N40
MOSFET N-CH 400V 19.5A TO3P
FCHD190N65S3R0-F155
MOSFET N-CH 650V 17A TO247
