Tootja Toote Number:
FQP34N20L
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQP34N20L-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 200V 31A TO220-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 200 V 31A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventuur:
12850392
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
ReXr
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQP34N20L Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
200 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
31A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
75mOhm @ 15.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
72 nC @ 5 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
3900 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
180W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220-3
Pakett / ümbris
TO-220-3
Põhitoote number
FQP3
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
HTML andmeleht
Lisainfo
Standardpakett
1,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FDMS8660AS
MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8PQFN
FDS3672
MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
AO4701
MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC
