Tootja Toote Number:
FQP16N25C
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQP16N25C-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 250 V 15.6A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventuur:
12849572
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQP16N25C Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
250 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
15.6A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
270mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
53.5 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1080 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
139W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220-3
Pakett / ümbris
TO-220-3
Põhitoote number
FQP1
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
HTML andmeleht
Lisainfo
Standardpakett
1,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IRFB4229PBF
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
993
DiGi OSANUMBER
IRFB4229PBF-DG
ÜHIKPRICE
1.48
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
STP17NF25
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
2020
DiGi OSANUMBER
STP17NF25-DG
ÜHIKPRICE
0.55
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
RCX120N25
TOOTJA
Rohm Semiconductor
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
RCX120N25-DG
ÜHIKPRICE
1.05
ASENDAMISE TüÜP
Direct
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
AO4290A
MOSFET N-CH 100V 15.5A 8SOIC
AO4456
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
FDS9431A-F085
MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC
