Tootja Toote Number:
FQP10N20C
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQP10N20C-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 200 V 9.5A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventuur:
12840196
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQP10N20C Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
200 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
9.5A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
360mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
510 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
72W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220-3
Pakett / ümbris
TO-220-3
Põhitoote number
FQP10
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
2156-FQP10N20C-OS
ONSONSFQP10N20C
Standardpakett
50
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FCMT360N65S3
MOSFET N-CH 650V 10A 4PQFN
NVE4153NT1G
MOSFET N-CH 20V 915MA SC89
FCD900N60Z
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252