Tootja Toote Number:
FQN1N50CTA
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQN1N50CTA-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 500 V 380mA (Tc) 890mW (Ta), 2.08W (Tc) Through Hole TO-92-3
Inventuur:
3302 tk Uus Originaal Laos
12846565
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQN1N50CTA Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Cut Tape (CT)
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
500 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
380mA (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
6Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
6.4 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
195 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
890mW (Ta), 2.08W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-92-3
Pakett / ümbris
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Põhitoote number
FQN1N50
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
FQN1N50CTA-DG
FQN1N50CTACT
FQN1N50CTADKRINACTIVE
FQN1N50CTADKR
2156-FQN1N50CTA-OS
FQN1N50CTADKR-DG
FQN1N50CTATB
Standardpakett
2,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
STQ2HNK60ZR-AP
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
9835
DiGi OSANUMBER
STQ2HNK60ZR-AP-DG
ÜHIKPRICE
0.28
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
AOD2606
MOSFET N-CH 60V 14A/46A TO252
AOTF66616L
MOSFET N-CH 60V 38A/72.5A TO220F
FDP085N10A
MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3
