FQI6N60CTU
Tootja Toote Number:

FQI6N60CTU

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FQI6N60CTU-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventuur:

Küsi hinda veebis
12837361
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

FQI6N60CTU Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
600 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
5.5A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
2Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
810 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
125W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-262 (I2PAK)
Pakett / ümbris
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Põhitoote number
FQI6

Lisainfo

Standardpakett
1,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatiivsed mudelid

Osa number
STI4N62K3
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
STI4N62K3-DG
ÜHIKPRICE
0.46
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Seotud tooted
onsemi

FDN339AN_G

MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3

onsemi

FDPF10N50FT

MOSFET N-CH 500V 9A TO220F

onsemi

FCH060N80-F155

MOSFET N-CH 800V 56A TO247

onsemi

HUF75329D3S

MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA