Tootja Toote Number:
FQI50N06LTU
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQI50N06LTU-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 60 V 52.4A (Tc) 3.75W (Ta), 121W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventuur:
12847634
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQI50N06LTU Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
60 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
52.4A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
21mOhm @ 26.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
32 nC @ 5 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1630 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
3.75W (Ta), 121W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-262 (I2PAK)
Pakett / ümbris
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Põhitoote number
FQI5
Lisainfo
Standardpakett
50
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FDMS3D5N08LC
MOSFET N-CH 80V 19A/136A 8PQFN
FDMS5362L-F085
MOSFET N-CH 60V 17.6A POWER56
FCP290N80
MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
