Tootja Toote Number:
FQI32N20CTU
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQI32N20CTU-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 200V 28A I2PAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 200 V 28A (Tc) 3.13W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventuur:
12837676
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQI32N20CTU Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
200 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
28A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
82mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
2220 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
3.13W (Ta), 156W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-262 (I2PAK)
Pakett / ümbris
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Põhitoote number
FQI3
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
HTML andmeleht
Lisainfo
Standardpakett
50
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FDB8832-F085
MOSFET N-CH 30V 34A TO263AB
FQB3N80TM
MOSFET N-CH 800V 3A D2PAK
FQD5N60CTM_F080
MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
