FQI27P06TU

Tootja Toote Number:

FQI27P06TU

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FQI27P06TU-DG

Kirjeldus:

MOSFET P-CH 60V 27A I2PAK

Üksikasjalik kirjeldus:

P-Channel 60 V 27A (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc) Through Hole I2PAK

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12848395

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

FQI27P06TU Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

-

Seeria

QFET®

Toote olek

Obsolete

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

P-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

60 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

27A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

70mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

43 nC @ 10 V

VGS (max)

±25V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

1400 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

3.75W (Ta), 120W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

I2PAK

Pakett / ümbris

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Põhitoote number

FQI2

Lisainfo

Standardpakett

1,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

FQPF12N60CT

MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

onsemi

FDP4020P

MOSFET P-CH 20V 16A TO220-3

alpha-and-omega-semiconductor

AOD6N50

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252

onsemi

FQD30N06LTM

MOSFET N-CH 60V 24A DPAK